Фотоэлектронный умножитель — электровакуумный прибор, в котором поток электронов, эмитируемый фотокатодом под воздействием оптического излучения, в результате вторичной электронной эмиссии усиливается в умножительной системе; ток в цепи анода намного превышает первоначальный фототок (как правило, в 105 раз и выше). Изначально был разработан и предложен в период 1930—1934 гг. А. Кубецким. Самыми распространенными являются фотоэлектронные умножители, в которых усиление электронного потока производится при помощи системы дискретных динодов — электродов жалюзийной, коробчатой или корытообразной формы с круговым либо линейным расположением, имеющих коэффициент вторичной эмиссии s > 1.
В подобных фотоэлектронных умножителях для фокусировки и ускорения электронов катодной камере, которая собирает электроны, вылетевшие с фотокатода, в пучок и ориентирующей этот пучок на вход динодной системы, аноду и динодам передают определенные потенциалы относительно фотокатода с помощью высоковольтного источника напряжением 600—3000 В.
Помимо электростатической фокусировки, в фотоэлектронных умножителях иногда используют магнитную фокусировку и фокусировку в скрещенных магнитном и электрическом полях.
Существуют также фотоэлектронные умножители с умножительной системой, они представляют собой непрерывный распределенный динод — одноканальный, имеющий вид канала (трубки) с активным слоем на ее внутренней поверхности, который обладает распределенным электрическим сопротивлением, либо многоканальный, изготовленный из микроканальной пластины. При подключении канала к источнику высокого напряжения в нем возникает электрическое поле, которое ускоряет вторичные электроны, многократно соударяющиеся с внутренними стенками канала и вызывающие при каждом столкновении с поверхности активного слоя вторичную электронную эмиссию.
Фотокатоды фотоэлектронных умножителей изготавливают из полупроводников на базе соединений элементов I или III группы Периодической системы Менделеева с элементами V группы. Полупрозрачные фотокатоды, как правило, наносят на внутреннюю поверхность входного окна стеклянного баллона фотоэлектронного умножителя.
Для производства дискретных динодов применяют следующие материалы: эпитаксиальные слои GaP на Мо, обработанные 02; сплавы CuAlMg, CuBe; C'SjSb, наносимый в виде слоя на металлическую подложку и др.
Каналы непрерывных динодов производят из стекла с высоким содержанием свинца. Подобные каналы после термообработки в Н2 обладают удельным сопротивлением поверхностного слоя 107—1010 Ом.
Основными параметрами фотоэлектронных умножителей являются: световая анодная чувствительность — при номинальных потенциалах электродов отношение анодного фототока к провоцирующему его световому потоку, составляет 1—104 А/лм; спектральная чувствительность, которая равна спектральной чувствительности фотокатода, помноженной на коэффициент усиления умножительной системы, находящейся, как правило, в пределах 103— 108; темновой ток — ток в анодной цепи во время отсутствия светового потока, обычно не превышает 10 9—10 10 А.
Наибольшее использование фотоэлектронные умножители получили в ядерной физике (спектрометрические фотоэлектронные умножители) и в установках для изучения недолговременных процессов (временные фотоэлектронные умножители). Фотоэлектронные умножители применяют также в оптической аппаратуре, устройствах лазерной и телевизионной техники.
В 1960-х гг. разработаны фотоэлектронные умножители, в которых усиление фототока производится с помощью бомбардировки полупроводникового кристалла с электронно-дырочным переходом электронами с энергиями, которых достаточно для получения в кристалле парных зарядов электрон — дырка (подобные фотоэлектронные умножители называются гибридными).