Полупроводниковый лазер — лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества, полупроводниковый квантовый генератор. В полупроводниковых лазерах в отличие от лазеров других типов применяются излучательные квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии ионов, молекул и атомов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла.
В полупроводниковых лазерах возбуждаются и излучают атомы, образующие кристаллическую решетку. Это отличие определяет главную особенность полупроводниковых лазеров — компактность и малые размеры. В полупроводниковых лазерах удается получить показатель оптического усиления до 104 см, хотя, как правило, для возбуждения генерации лазера необходимы и меньшие значения. Другими практически важными отличиями полупроводниковых лазеров являются: малая инерционность, обусловливающая широкую полосу частот прямой модуляции (более 109 ГГц); высокая эффективность преобразования электрической энергии в энергию когерентного излучения (до 30—50%); возможность перестройки длины волны излучения и наличие большого числа полупроводников, которые непрерывно перекрывают интервал длин волн от 0,32 до 32 мкм; простота конструкции.