Фоторезистор — полупроводниковый прибор, который под воздействием оптического излучения характеризуется свойством менять свое электрическое сопротивление. Через фоторезистор, который включен в электрическую цепь, имеющую источник постоянного тока, течет электрический ток.
При облучении фоторезистора в результате появления фоnотока увеличивается ток. Фототок пропорционален уровню действующего сигнала и не зависит от полярности напряжения, приложенного к фоторезистору. Появление фототока применяется для регистрации излучений.
Для создания фоторезисторов применяют Ge (чистый либо легированный Аи, Си или Zn), Se, Те, Si, InSb, InAs, PbS, PbSe, PbTe, CdS, CdSe, HgCdTe. Характерная особенность данных полупроводниковых материалов — небольшая ширина запрещенной зоны. Полупроводник наносят тонким слоем на кварцевую или. стеклянную подложку либо вырезают из монокристалла в виде тонкой пластинки. Слой или пластинку комплектуют двумя электродами. Подложку или пластинку с фоточувствительным слоем и электроды помещают в защитный корпус.
Главными параметрами фоторезистора являются: интегральная чувствительность, которая определяется при номинальном значении напряжения питания как отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения и составляет 103—108 В/Вт; порог чувствительности — величина минимального сигнала, фиксируемая фоторезистором, отнесенная к единице полосы рабочих частот, достигает 10— 12 Вт/Гц1/2. Постоянная времени, которая характеризует инерционность фоторезистора, лежит в пределах 10~3—10-8 с. Для расширения рабочего диапазона длин волн принимаемого излучения и увеличения порога чувствительности фоточувствительный слой некоторых фоторезисторов охлаждают.