Ионный проектор — не имеющий линз ионно-оптический прибор, авто-ионный микроскоп, предназначенный для получения изображения поверхности твердого тела, увеличенного в несколько миллионов раз. С помощью ионного проектора можно увидеть детали поверхности, которые разделены расстояниями порядка 2—3 А, что позволяет наблюдать в кристаллической решетке расположение отдельных атомов. Ионный проектор изобретен немецким ученым Э. Мюллером в 1951 г.
Положительным электродом и одновременно объектом, поверхность которого отображается на экране, является острие тонкой иглы. Атомы (либо молекулы) газа, который заполняет внутренний объем устройства, ионизуются в сильном электрическом поле около поверхности острия, отдавая ему при этом свои электроны. Образовавшиеся положительные ионы приобретают под воздействием поля радиальное ускорение, перпендикулярное поверхности острия, устремляются к флуоресцирующему экрану, имеющему отрицательный потенциал, и бомбардируют его. Свечение отдельного элемента экрана пропорционально плотности ионного тока, приходящегося на него. В связи с этим распределение свечения на экране показывает в увеличенном масштабе, как расположены плотности возникновения ионов около острия. Масштаб увеличения можно найти как отношение радиуса экрана к радиусу кривизны острия (чем меньше острие, тем больше увеличение).
В электрическом поле вероятность прямой ионизации газа весьма значительна, если на расстояниях, сопоставимых с размерами атома (молекулы) газа, возникает падение потенциала, сопоставимого с ионизационным потенциалом данной частицы. Напряженность этого поля очень велика. Такое сильное поле можно легко образовать у поверхности острия при довольно малом радиусе кривизны поверхности — от 100 до 1000 А Именно этим объясняется применение в ионных проекторах образца, имеющего вид тонкого острия. Происходящий в сильном поле острия в ионном проекторе процесс ионизации газа получил название автоионизации.
Около острия электрическое поле неоднородно, потому что над отдельными выступающими атомами, либо над ступеньками кристаллической решетки его локальная напряженность увеличивается: на данных участках вероятность автоионизации значительно выше и число ионов, которые образуются в единицу времени, соответственно больше.
На экране подобные участки показаны в виде ярких точек. Другими словами, появление контрастного изображения поверхности обуславливается существованием у нее локального микрорельефа. Ионный ток, а вместе с ним контрастность и яркость изображения увеличиваются с увеличением давления газа, которое в ионных проекторах, как правило, не превышает приблизительно 0,001 мм рт. ст.; при более высоком давлении начинает появляться газовый разряд.
Разрешающая способность ионных проекторов, как правило, зависит от касательных, проведенных относительно поверхности острия, которые составляют тепловые скорости ионов и зависят от напряженности у острия ноля. В отличие от электронного проектора в ионном проекторе воздействие дифракции на разрешающую способность сравнительно невелико вследствие гораздо большей массы ионов (по сравнению с электронами). Разрешение ионных проекторов в значительной степени зависит от поляризуемости атомов (или молекул) рабочего газа; наиболее подходящие для использования в ионных проекторах газы с малой автоионизацией (водород, гелий). Большинство частиц газа доходит до поверхности острия не-ионизированными. При стандартных температурах они в дальнейшем покидают ее, имея большие касательные составляющие скорости. При охлаждении острия до температуры жидкого азота или водорода (20—78 К) неионизированные молекулы на некоторое количество времени «прилипают» к нему, теряя при этом свою кинетическую энергию. Их ионизация осуществляется после испарения с острия.
Ионные проекторы широко используются для исследования различных дефектов в кристаллах, в частности повреждений и дислокаций, которые вызваны радиоактивным облучением; атомной структуры чистых металлов и сплавов и связи ее с их механическими свойствами; воздействия методов обработки на свойства материалов. С его помощью изучают свойства тонких пленок, осажденных на поверхности металлов, процессы адсорбции, коррозии и десорбции. Сравнение результатов исследований в ионном проекторе и в электронном проекторе позволяет получить существенную информацию об электронных свойствах металлов, пленочных систем и сплавов, очень важную в современной электронике. Проводятся работы, ставящие перед собой цель изучить с помощью ионных проекторов структуры биологических молекул.