Ученым удалось создать транзистор со встроенной памятью FeRAM

Так уж повелось, что обработка и хранение данных - это задачи для совершенно разных устройств. И интеграция вычислительных ячеек в ячейки памяти - это возможность не только еще больше повысить плотность расположения элементов на кристалле, но так же создать устройство по своей сути напоминающее человеческий мозг.

Такая разработка имеет все шансы дать огромный толчок в развитии искусственного интеллекта.

Ученым удалось создать транзистор со встроенной памятью FeRAM

Как заявляют американские исследователи из научного центра Purdue Discovery Park Birck Nanotechnology Center университета Пёрдью, для того, чтобы максимально уплотнить структуру вентиль ячейка (1Т1С) необходимо использовать сегнетоэлектрическую (ферроэлектрическую) ячейку памяти, совмещенную с транзистором.

Так же для плотности вполне можно встроить магниторезистивный туннельный переход напрямую в контактную группу сразу под транзистором.

Результаты своих экспериментов ученые опубликовали в журнале Nature Electronics, где подробно описали все свои научные изыскания, в результате которых им удалось создать транзистор со встроенным туннельным переходом из сегнетоэлектрика.

Ученым удалось создать транзистор со встроенной памятью FeRAM

В ходе работы им удалось решить одну очень важную проблему. Ведь сегнетоэлектрики считаются диэлектриками с крайне широкой запрещенной зоной, которая блокирует прохождение электронов. А в полупроводниках, например, в кремнии электроны проходят беспрепятственно.

Помимо этого сегнетоэлектрики наделены еще одним свойством, которое ни в коем разе не позволяет создавать ячейки памяти на едином кристалле кремния совместно с транзисторами.

А именно: кремний несовместим с сегнетоэлектриками, так как фигурально выражаясь «травится» ими.

Для того, чтобы нивелировать эти негативные моменты, ученые задались целью найти полупроводник со свойствами сегнетоэлектрика и им это удалось.

Таким материалом оказался селенид-альфа индий. Ведь у него достаточно малая ширина запрещенной зоны и он способен пропускать поток электронов. А так как это полупроводниковый материал, то препятствий для его совмещения с кремнием просто нет.

Ученым удалось создать транзистор со встроенной памятью FeRAM

Многочисленные исследования, лабораторные испытания и комплексные моделирования показали, что при должной оптимизации созданный транзистор со встроенной памятью может существенно обогнать по параметрам существующие полевые транзисторы.

При этом толщина туннельного перехода сейчас составляет всего 10 нм, но по заверению представителей научной группы, этот параметр можно уменьшить до толщины всего одного атома.

Такая сверхплотная компоновка еще на один шаг приближает все человечество к реализации амбициозного проекта, такого как Искусственный интеллект.

Ученым удалось создать транзистор со встроенной памятью FeRAM

Хочется особо подчеркнуть, что большая часть финансирования происходит за счет дотаций из пентагона, что наводит на определенные мысли.

Понравился материал, тогда палец вверх и лайк с вас! Так же напишите в комментариях, может американские ученые разрабатывают некий аналог Скайнета?